свойства продукта
ТИП
ОПИСЫВАТЬ
категория
Дискретные полупроводниковые продукты
Транзистор — FET, MOSFET — одиночный
производитель
Инфинеон Технологии
серии
CoolGaN™
Упаковка
Лента и катушка (TR)
Лента сдвига (CT)
Пользовательская катушка Digi-Reel®
Статус продукта
снято с производства
тип полевого транзистора
N-канал
технологии
GaNFET (нитрид галлия)
Напряжение сток-исток (Vdss)
600В
Ток при 25°C — непрерывный слив (Id)
31А (ТС)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)
-
Сопротивление во включенном состоянии (max) при разных Id, Вгс
-
Vgs(th) (максимум) при разных идентификаторах
1,6 В при 2,6 мА
Вгс (макс.)
-10В
Входная емкость (Ciss) при различных Vds (макс.)
380 пФ при 400 В
функция полевого транзистора
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
125 Вт (Тс)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (ТДж)
тип установки
Тип поверхностного монтажа
Упаковка устройства поставщика
ПГ-ДСО-20-87
Пакет/корпус
20-PowerSOIC (0,433 дюйма, ширина 11,00 мм)
Базовый номер продукта
IGOT60
Медиа и загрузки
ТИП РЕСУРСА
ССЫЛКА НА САЙТ
Характеристики
ИГОТ60Р070Д1
Руководство по выбору GaN
CoolGaN™ 600 В e-mode GaN HEMT Краткое описание
Другие сопутствующие документы
GaN в адаптерах/зарядных устройствах
GaN в серверах и телекоммуникациях
Надежность и квалификация CoolGaN
Почему CoolGaN
GaN в беспроводной зарядке
видео файл
Оценочная платформа полумоста CoolGaN™ 600V e-mode HEMT с GaN EiceDRIVER™
CoolGaN™ — новая парадигма питания
Оценочная плата PFC тотемного столба мощностью 2500 Вт с использованием CoolGaN™ 600 В
Спецификации HTML
CoolGaN™ 600 В e-mode GaN HEMT Краткое описание
ИГОТ60Р070Д1
Окружающая среда и экспортная классификация
АТРИБУТЫ
ОПИСЫВАТЬ
статус RoHS
Соответствует спецификации ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
3 (168 часов)
ДОСТИГНУТЬ статус
Продукты, не входящие в REACH
ECCN
EAR99
ХТСУС
8541.29.0095
